在 12 月 28 日舉行的第三屆硬核中國芯領(lǐng)袖峰會暨汽車芯片技術(shù)創(chuàng)新與應(yīng)用論壇上，比亞迪半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體產(chǎn)品中心高級市場經(jīng)理孫允帥表示，目前，比亞迪半導(dǎo)體基于高密度 Trench FS 的 IGBT 5.0 技術(shù)已實現(xiàn)量產(chǎn)。
據(jù)介紹，比亞迪半導(dǎo)體正在積極布局新一代 IGBT 技術(shù)，致力于進一步提高 IGBT 芯片的電流密度，提升功率半導(dǎo)體的可靠性，降低產(chǎn)品成本，提高應(yīng)用系統(tǒng)的整體功率密度。 未來，比亞迪半導(dǎo)體 IGBT 芯片將在核心技術(shù)、制造工藝及結(jié)構(gòu)設(shè)計等方面不斷尋求突破。
▲ 比亞迪半導(dǎo)體 IGBT5.0 芯片 | 圖自比亞迪半導(dǎo)體，下同
此外，比亞迪半導(dǎo)體 SiC 車用功率模塊，具有 Pin-fin 直接水冷結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)十分緊湊，僅一個手掌大小，輸出功率 250KW。
孫允帥表示：“后期，比亞迪半導(dǎo)體將往超小型雙面燒結(jié) SiC 發(fā)展，其具有應(yīng)用靈活、散熱效率高等優(yōu)勢。目前有關(guān)產(chǎn)品在研中，預(yù)期實現(xiàn)產(chǎn)品革新的又一跨越?！?/p>
▲ 比亞迪半導(dǎo)體 SiC 功率模塊
官方信息顯示，比亞迪半導(dǎo)體以車規(guī)級半導(dǎo)體為核心，同步推動工業(yè)、家電、新能源、消費電子等領(lǐng)域的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)發(fā)展，持續(xù)量產(chǎn) IGBT、SiC、IPM、MCU 等產(chǎn)品。比亞迪半導(dǎo)體是全球首家、國內(nèi)唯一實現(xiàn) SiC 三相全橋模塊在新能源汽車電機驅(qū)動控制器中大批量裝車的功率半導(dǎo)體企業(yè)。
