IT之家 4 月 20 日消息，SK 海力士官網宣布，再次超越了現有最高性能 DRAM（內存）——HBM31 的技術界限，全球首次實現垂直堆疊 12 個單品 DRAM 芯片，成功開發出最高容量 24GB 的 HBM3 DRAM 新產品。該公司表示，目前正在向客戶提供樣品，并進行性能評估。
SK 海力士表示：“繼去年 6 月率先量產業界首款 HBM3 之后，公司又成功開發出了內存容量比前一代產品增加 50% 的 24GB 封裝產品。我們將在下半年向市場供應新產品，以滿足由 AI 聊天機器人行業帶動的高端內存產品的需求。”
SK 海力士的工程師通過應用先進的批量回流模壓填充（MR-MUF） 技術，提高了新產品的工藝效率和性能穩定性，同時通過硅通孔（TSV） 技術，將單個 DRAM 芯片的厚度降低了 40%，達到了與 16GB 產品相同的堆疊高度水平。
HBM 是 SK 海力士在 2013 年首次開發出來的一種內存，由于它在實現運行在高性能計算（HPC）系統中的生成型 AI 中起著至關重要的作用，因此受到了內存芯片行業的廣泛關注。最新的 HBM3 標準尤其被認為是快速處理大量數據的理想產品，因此其被全球主要科技公司采用的情況越來越多。
SK 海力士已經向多個對最新產品表達了極大期待的客戶提供了 24GB HBM3 產品的樣品，同時該產品的性能評估也在進行中。
“SK 海力士之所以能夠不斷開發出一系列超高速和高容量的 HBM 產品，是因為它在后端工藝中運用了領先的技術，”SK 海力士封裝測試部門負責人洪相厚說，“公司計劃在今年上半年完成新產品的量產準備工作，以進一步鞏固其在 AI 時代尖端 DRAM 市場中的領導地位。”
IT之家注：HBM（High Bandwidth Memory）是一種高價值、高性能的內存，通過垂直連接多個 DRAM 芯片，與傳統的 DRAM 產品相比，大幅提高了數據處理速度。HBM DRAM 產品以 HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）的順序開發。現有 HBM3 DRAM 的最大容量是垂直堆疊 8 個單品 DRAM 芯片的 16GB。
