5 月 22 日消息，三星半導體(Samsung Foundry)計劃在 2023 年 6 月的 VLSI Symposium 2023 上公布其升級版的 3 納米和 4 納米芯片制造工藝，該活動將于 2023 年 6 月 11 日至 16 日在日本京都舉行。在這次芯片行業盛會上，這家韓國芯片制造商將詳細介紹其第二代 3 納米和第四代 4 納米工藝。這兩種新工藝對于三星半導體來說很重要，因為它們將有助于其獲得更多客戶。
三星半導體使用的 4 納米工藝曾經遭到過很多批評，因為其效率遠不及臺積電(TSMC)用于制造蘋果 A16、高通驍龍 8 Gen 2、聯發科天璣 9000 和英偉達 RTX 4000 系列 GPU 的 4 納米工藝，而三星半導體使用該工藝制造了 Exynos 2200 和驍龍 8 Gen 1 芯片組。
三星半導體的 SF3 芯片制造工藝將采用 3 納米 GAP 技術，是 SF3E 工藝的改進版本，后者用于在 2022 年下半年制造芯片。這種新工藝依賴于三星改進的 GAA(全包圍柵極)晶體管，該公司稱之為 MBCFET(多橋通道場效應晶體管)。與 SF4(第二代 4 納米)相比，這種節點承諾會有進一步優化，但該公司沒有直接與其第一代 3 納米工藝進行比較。據稱，SF3 在相同功耗下速度提高了 22%，或者在相同時鐘速度和晶體管數量下功耗降低了 34%，還能使邏輯面積縮小 21%。
通常情況下，三星的第一代芯片制造工藝并不被廣泛使用，而后續幾代則會被各種芯片公司使用。根據三星半導體的過往記錄，其第二代 3 納米芯片制造技術可能會被至少一個主要芯片客戶使用。有傳言稱，Exynos 2500 和驍龍 8 Gen 4 可能會使用 SF3 工藝。
該公司的第四代 4 納米工藝則旨在用于高性能計算應用，如服務器 CPU 和 GPU，與 SF4(第二代 4 納米)相比，提供了 10% 的性能提升和 23% 的功耗降低。這種新工藝將與臺積電的 N4P(第二代 4 納米)和 N4X(第三代 4 納米)節點競爭，后者分別將于 2024 年和 2025 年推出。據 AnandTech 報道，三星半導體的 SF4X 是該公司近年來首個以高性能計算為目標的節點。
