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美3300億「芯片法案」獲參議院通過,與日韓等組「四方芯片聯盟」圍堵中國
作者 | 新智元2022-03-31

近3000頁的《2022美國競爭法案》獲美參議院通過,法案將劃撥520億美元巨額投資和補貼,擴大本國芯片工廠的建設。同時,美國提議與韓、日等共組「芯片四方聯盟」,設立「半導體壁壘」圍堵中國。

美3300億「芯片法案」獲參議院通過,與日韓等組「四方芯片聯盟」圍堵中國

美國參議院周一以68票贊成,28票反對的結果,通過了《2022美國競爭法案》(COMPETES 2022)。

該法案是一項為美國科學研究和半導體產業提供更多資金的法案。法案全文長達近3000頁,主要內容包括旨在促進美國半導體制造業的大規模投資。

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其中包括約520億美元(約合人民幣3308億元)對半導體行業的撥款和補貼,以及450億美元(約合人民幣2672億元)用于加強高科技產品的供應鏈。試圖從而在全球范圍內「更好地與中國競爭」。

據美國半導體產業聯盟(SIA)估計,美國的現代半導體制造能力的份額已從 1990 年的 37% 下降到目前的 12%,這主要是因為其他國家的政府在芯片制造激勵措施上進行了雄心勃勃的投資,而美國政府卻沒有。

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與此同時,美國對芯片研究的投資占 GDP 的比重長期徘徊不前,而其他國家則大幅增加了研究投資。

此次通過的法案正試圖扭轉這一趨勢,業內官員稱,這個法案的通過的最大推動力實際上可能是外國的競爭對手。

據相關行業報告估計,這些投資將使美國能夠在未來10年內建設19個工廠,并讓芯片制造能力翻倍。

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今年2月4日,該法案的眾議院版本以222-210的微弱優勢獲得通過,此次參議院版本通過后,需要進行一系列協調,之后送交總統批準。

參議院多數黨領袖查克·舒默表示:

「當涉及到諸如半導體、生物技術和其他高科技產業的技術時,美國無法接受排在第二位。」

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美國商務部長吉娜·雷蒙多在本月早些時候與美國參議員會面時說,「美國現在的情況很緊急,我們必須減少對其他國家對芯片的依賴,而做到這一點的方法就是,在美國制造更多的芯片。」

除了政府部門的大力推動外,這份法案此前也已獲得了英特爾、美光等美國主要芯片制造商的支持。

這兩家公司的CEO此前曾前往參議院參加聽證會并發言,推動參議院通過法案。

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在聽證會上,英特爾 CEO Pat Gelsinger表示,「政府迫切需要激勵更多的私營部門在美國投資,以實現一個有彈性和創新的半導體生態系統。」

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美光CEO Sanjay Mehrotra在一份書面證詞中表示,批準520億美元用于芯片「將在短期內啟動對勞動力、研發、創新和制造業擴張的投資。」

目前,英特爾和美光都已宣布未來的投資和在美國國內建廠計劃。

美光宣布,計劃未來10年在全球投資超過1500億美元,用于尖端內存制造和研發,并正在考慮在美國建立新的晶圓廠。

英特爾最近也宣布,計劃在俄亥俄州投資200億美元,建立兩個新的超大型晶圓廠。若資金充足,新建晶圓廠的數量可能達到8家。

美國發起「芯片四方聯盟」,欲圍堵中國

據韓國媒體《首爾經濟》28日報道稱,美國政府提議與韓國、日本和中國臺灣地區組建「芯片四方聯盟」(Chip 4),其背后的意圖是利用這一組織將中國大陸排除在全球半導體供應鏈之外。

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不過報道認為,韓國政府和企業可能難以接受美方這個提議。中國是韓國半導體企業相當重要的市場,三星、SK海力士均在中國建有工廠,其產品在全球市場上占有重要份額。

另一家韓國媒體《亞洲日報》也認為,韓國方面對美國的這一提議應允的可能性不大。

《亞洲日報》稱,美國提出的「芯片四方聯盟」將對韓國政府和半導體企業造成沉重負擔。中國是目前全球最大的半導體市場,韓國半導體企業也在中國大陸建有核心生產基地。

目前,三星、SK海力士均在中國建有工廠,且產能舉足輕重。

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三星在西安擁有唯一的內存芯片海外生產基地,主要生產閃存芯片,12寸晶圓月產能達26.5萬,占三星閃存整體產量的42%,占全球閃存市場產量的10%。

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另一家芯片廠商SK海力士在產能上對中國的依賴更深,該公司在無錫的NAND工廠產能占總產能的比例高達47%。

報道稱,據韓國半導體行業和政府消息人士27日消息,美國拜登政府向韓方提出了上述提議。

美國的如意算盤是,如果能將在芯片領域擁有全球一流水平的韓國、全球最大晶圓代工企業臺積電,以及在半導體材料、零部件、設備技術上存在感極強的日本聯合起來,就將搭起包圍中國的「半導體壁壘」。

首爾大學半導體共同研究所所長李宗昊稱:「三星電子、SK海力士等韓國半導體企業在華業務比重較大,恐怕很難接受美國的提議,需要政府與企業緊密溝通進行應對。」

不過報道指出,一旦「芯片四方聯盟」按照美國想法成立并運作起來,那么對中國「或許是致命的」,未來也不排除韓國要被迫「選邊站」。


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